応用情報技術者 平成30年度春期午前問10

午前問10

NAND型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。
バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
ページ単位で書込み及び読出しを行う。
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正解

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