応用情報技術者平成30年度秋期午前問10

相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

	一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
	結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
	フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
	リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

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